快报内容
时间：2026年1月25日，三星电子正式宣布第一季度NAND闪存价格调整方案，新价格体系已于2026年1月起开始执行。
地点与主体：总部位于韩国的三星电子作为全球最大的NAND闪存制造商，主导了本次价格调整。值得注意的是，行业第二大厂商SK海力士以及排名第五的闪迪也计划采取类似涨价策略，涨幅与三星相近。
事件核心：三星电子将第一季度NAND闪存供应价格上调100%以上，这一涨幅远超市场研究机构TrendForce此前预测的33%-38%季度涨幅。此次调价紧随DRAM内存价格上调近70%之后，形成存储市场的双重涨价冲击。
背景与动因：价格暴涨的根本原因是AI应用扩散引发的供需失衡。需求端，AI基础设施投资增加推动企业级固态硬盘需求激增，端侧AI趋势促使移动设备和PC采用更大容量存储方案。供给端，过去一年NAND闪存领域未有大规模扩产，主要制造商投资谨慎，制程转换进一步限制了有效产能增长。
行业影响：存储芯片涨价潮已产生连锁反应。AI数据中心建设成本显著上升，出现“AI普及瓶颈在于存储器”的观点。智能手机和PC制造商计划上调终端产品售价，存储成本占比已从20%升至35%以上。日本铠侠公司证实2026年NAND产能已全部售罄，供应紧张局面可能持续至2027年。
市场展望：三星电子已开始与客户就第二季度NAND价格进行新一轮谈判，市场普遍预计上涨趋势将延续。花旗集团预测2026年DRAM与NAND平均售价将分别上涨88%和74%，这一轮由AI驱动的“存储芯片超级周期”可能持续至2027年。
快报总结
三星电子NAND闪存价格一次性上调100%标志着存储市场进入全新时代，AI发展正彻底改变存储芯片的供需格局和定价逻辑。随着供需失衡短期难以缓解，涨价趋势可能向全产业链持续传导，重塑从数据中心到消费电子产品的成本结构，同时为国产存储厂商带来替代机遇。
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